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光电传感器的PN结光伏效应是什么?能简单的介绍一下嘛

提问者:匿名

时间:Mon Dec 28 18:05:12 CST 2020

光电传感器

Mon Dec 28 18:06:16 CST 2020

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  PN结光伏效应

  当光被定向到非常接近表面的半导体器件的PN结时,该结和附近的半导体器件会吸收光能。当光子美的机械能超过禁带宽度时,价带电子元件的自由电子将达到导带而成为自由电子,价带的相对性将成为偶发空化。在PN结内电场的作用下,将这类电子元件的空化侵蚀调整到区两侧,空化调整到区两侧。因此,区带正电荷,区带负电荷,产生光电动势。

  PN结的光生电流值与人体辐射的照度成正比,而光伏则大多与照度成正比。

  由于光生电子元件的复合性质以及扩散过程中与半导体器件和电子元件的空化腐蚀,载流子寿命与扩散长度有关。只有当PN结从表面开始的厚度小于扩散长度时,光电流才能引起光伏。改变的方法PN结距离表面厚度的厚度可以用来调整半导体器件的相位频率特性基于PN结光生伏打效应,和规范之间的差异光电流和光电潜力。

  电子光磁效应(统称PEM效应)

  当半导体器件由强光辐照,添加一个磁场垂直方向的光,双方之间的电位差的半导体器件垂直平分光和磁场导致被称为光电磁场效应,这可以看作是光扩散电流值的霍尔效应。

  贝克勒尔效应

  贝克勒尔效应是液体中的光伏效应。当光线照射到浸泡在锂电池电解质中的两个相同能级中的任何一个时,导致这两个能级之间电位差的情况称为贝克勒尔效应,根据这个效应有光敏电池。